MOCVDはIIIグループ、II族元素の有機化合物とV、Ⅵ族元素の水素化物などを結晶成長源材料とし、熱分解反応で基板上に気相エピタクシーを行い、各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体及びそれらの多元固溶体の薄層単結晶材料を成長させる。通常MOCVDシステムにおける結晶成長は、常圧または低圧（10-100 Torr）でH 2を通過する冷壁石英（ステンレス）反応室で行われ、基板温度は500-1200℃であり、無線周波数誘導でグラファイトベース（基板基板基板基板基板はグラファイトベースの上にある）を加熱し、H 2は温度制御可能な液体源ドラムを介して金属有機物を成長領域に運ぶ。

-適用範囲が広く、ほとんどの化合物及び合金半導体を成長させることができます。

−様々なヘテロ構造材料の成長に非常に適している。

−超薄エピタキシャル層を成長させ，急峻な界面遷移を得ることができた。

-成長は制御しやすい。

-純度の高い材料を成長させることができます。

−エピタキシャル層の大きな面積の均一性は良好である。

-大規模生産が可能です。